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        顯微課堂 | 半導體芯片應用案例

        更新時間:2024-09-23      點擊次數(shù):378

        芯片表面明暗場對比

        0a764559e1b5b58e867c659e8395a357.png

        BF 

        2.png

         DF 

        芯片表面明暗場對比


        在現(xiàn)代顯微鏡觀察檢驗方法中 , 尤其在工業(yè)顯微鏡應用領域,除了常規(guī)的明視場BF(Bright field)和暗視場DF(Dark field)觀察方法, 微分干涉相襯觀察法 (DIC:Differential interference contrast) 作為一種新興的觀察檢驗方法。作為檢驗觀察的一種強有力的工具,越來越多的被使用。尤其隨著微電子,平板顯示行業(yè)的快速發(fā)展,微分干涉觀察法甚至成為某些制程,比如位錯檢查,導電粒子壓合,硬盤制造檢測的關鍵手段

         


        用DIC模式觀察的1000x放大下的芯片表面(不同的傾斜角度)

        諾馬斯基棱鏡可做水平移動調節(jié),類似相位移動的補償器的作用,使視場中物體和背景之間的亮度和干涉顏色發(fā)生變化,從而達到理想的觀察效果。

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        2000

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        3000

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        4000


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        6000 

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        8000

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        9000 

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        10000

         

        熒光觀察是表征芯片表面宏觀缺陷的一種常用手段,通常用來觀察大顆粒污染或者光刻膠涂布等缺陷,同時也可以用來觀察OLED等發(fā)光器件。

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         BF 

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         FLUO 

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        雙通道合成(BF+POL)

         

        熒光用來觀察芯片表面

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         BF

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        FLUO

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        BF+FLUO

         

         

        使用宏觀物鏡能夠實現(xiàn)迅速觀察大范圍樣本,下圖是0.7x宏觀物鏡與150x高分辨物鏡的視野對比。

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        左0.7x 

         右150x

        同一樣品低倍率物鏡的視野對比

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        0.7x 35.7mm視野范圍

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        1.25x 20mm視野范圍

        微信圖片_20240923153509.png

        2.5x 10mm視野范圍

        微信圖片_20240923152036.png

        5x 5mm視野范圍

         

        超高分辨紫外光觀察

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        可見光下可分辨約0.3um的結構

        Resolvable Structures 0.3mm

        (Visible light @ 400-750nm)

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        Resolvable Structures 0.12mm

        (UV Light @ 365 nm)

        紫外光下可分辨約0.12um的結構 (需特質物鏡)

         

        紫外斜照明

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        結合斜照明與紫外觀察,可以進一步提升圖像的襯度,視覺上提升圖像的解析能力。

         


        斜照明觀察,可以幫助對于缺陷的正確表征,觀察到常規(guī)明場下看不到的缺陷

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         BF 

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        OBL

         

        相關產(chǎn)品

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        DM6M

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